波音体育(bbinSports) 金誉半导体央求一种半导体器件的制备方法及半导体器件专利, 大致赞成沟槽型SiC MOSFET器件性能与可靠性

发布日期:2026-06-16 10:22    点击次数:135

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国度常识产权局信息泄漏,深圳市金誉半导体股份有限公司央求一项名为“一种半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利,公开号CN122205899A,央求日历为2026年2月。

专利节录泄漏,本发明波及半导体制造本事范围,公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件,包括:基于第一掩膜版,在外延层辨别衬底层的一侧名义上酿成第一注入窗口;基于第一注入窗口对外延层进行离子注入处置,以在外延层内酿成P型柱区和第一源区;基于第二掩膜版,在外延层辨别衬底层的一侧名义上酿成第二注入窗口;基于第二注入窗口对外延层进行离子注入处置,以在外延层内酿成电流扩张区和第二源区;基于第三掩膜版,在外延层辨别衬底层的一侧名义酿成有源区注入窗口;基于有源区注入窗口,在外延层的有源区内酿成阱区;在外延层的有源区内酿成栅极沟槽和栅极。本发明大致赞成沟槽型SiCMOSFET器件性能与可靠性,波音(bbin)体育官方网站裁汰加工周期和训斥成本。

天眼查贵寓泄漏,深圳市金誉半导体股份有限公司,斥地于2011年,位于深圳市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册本钱9438.8571万东说念主民币。通过天眼查大数据分析,深圳市金誉半导体股份有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标形态8次,财产陈迹方面有商标信息66条,专利信息120条,此外企业还领有行政许可51个。

声明:市集有风险,投资需严慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不组成个东说念主投资提出。

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